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嵌入式存儲器

嵌入式存儲器資訊

聯電、華虹嵌入式存儲器傳捷報 切入東芝和智能卡供應鏈

晶圓代工大廠聯電耕耘40納米結合SST嵌入式SuperFlash非揮發性存儲器的制程平臺有成,可望獲得日本東芝(Toshiba)采用于微處理器(MCU)產品線上;大陸8吋晶圓廠華虹半導體的第...

分類:業界動態 時間:2018/1/9 閱讀:386 關鍵詞:存儲器東芝華虹聯電

迎接嵌入式存儲器轉型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發

全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案,可望改變下一代儲存技術的游戲規則。迎接嵌入式存儲器轉型 全球晶圓代工...

分類:業界要聞 時間:2017/8/25 閱讀:283 關鍵詞:存儲器晶圓代工

重回大眾視線 揭秘嵌入式存儲器的前世今生

近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中,首次揭露臺積電研發多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年進行風險性試產。預...

分類:業界要聞 時間:2017/6/20 閱讀:336 關鍵詞:存儲器

28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)選項。三星晶圓代工業務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM(spi

分類:新品快報 時間:2016/7/30 閱讀:620 關鍵詞:SOI存儲器

飛索轉型求生存 鎖定嵌入式存儲器

NORFlash產業昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產保護后,積極進行大反撲,除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外,在產品在線也做大幅度的調整,除鞏固車用NORFlash產品線之外,也投入相當大資源在內嵌式NORFlash領域,這

分類:名企新聞 時間:2010/9/29 閱讀:169 關鍵詞:存儲器

先進內存管理技術應對嵌入式存儲器設計挑戰

嵌入式設計師將面臨45nm左右工藝節點嵌入式存儲器設計的艱巨挑戰。業界一些著名公司也紛紛聲稱,傳統SRAM、閃存和DRAM將在這些工藝節點遭遇可擴展性和耐久性問題。因此,嵌入式內存管理不僅具有全新的意義,而且會面臨各種設計機遇和相關...

分類:業界要聞 時間:2007/8/28 閱讀:187 關鍵詞:存儲器

MRAM將在嵌入式存儲器領域中扮演重要角色

至今磁阻RAM已經上市好幾個月了,現在用戶對包含嵌入式MRAM的系統級SoC的要求也越來越高。將作為整個系統一部分的嵌入式MRAM集成進未來的微控制器單元(MCU)可以帶來諸多好處。MRAM可以按字節訪問存儲器,因此在存儲器劃分方面具有很大的...

分類:新品快報 時間:2007/7/13 閱讀:1070 關鍵詞:存儲器

嵌入式存儲器的設計方法和策略

隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產品有別于競爭對手的產品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續增長,其復雜性、密度...

分類:業界要聞 時間:2007/7/12 閱讀:198 關鍵詞:存儲器

嵌入式存儲器技術

嵌入式存儲器的過去與現在

隨著超大規模集成電路工藝的發展,人類已經進入了超深亞微米時代。先進的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個大規模的芯片上...

設計應用 時間:2017/6/22 閱讀:2715

嵌入式存儲器設計方法和策略

隨著集成電路制造工藝水平的提高,半導體芯片上可以集成更多的功能,為了讓產品有別于競爭對手的產品特性,在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統級芯...

設計應用 時間:2016/7/14 閱讀:769

基于SystemC的通用嵌入式存儲器模型設計

1引言建立芯片模型是在早期進行芯片架構決策的有效方法,通過建模不僅可以對芯片的性能做出分析,還可以在硬件沒有完成之前開發軟件,不僅提高了產品成功率,而且縮短了研...

技術方案 時間:2014/8/21 閱讀:1393

為ASIC和SoC選擇最優嵌入式存儲器IP

在傳統的大規模ASIC和SoC設計中,芯片的物理空間大致可分為以下三部分:1.用于新的定制邏輯2.用于可復用邏輯(第三方IP或傳統的內部IP)3.用于嵌入式存儲如圖1所示,當各廠...

設計應用 時間:2013/8/13 閱讀:2123

嵌入式存儲器的測試及可測性設計研究

引言近年來,消費者對電子產品的更高性能和更小尺寸的要求持續推動著SoC(系統級芯片)產品集成水平的提高,并促使其具有更多的功能和更好的性能。要繼續推動這種無止境的...

技術方案 時間:2012/11/21 閱讀:2279

簡便的包含嵌入式存儲器的FPGA結構實現

1.引言傳統上FPGA只能實現相對較小的邏輯電路,隨著工藝技術的提高,FPGA的容量和性能也不斷提高,FPGA(Field-ProgrammableGateArray),即現場可編程門陣列,它是在PAL、GAL、CPLD等可編程器件的基礎上進一步發

其它 時間:2011/9/2 閱讀:1227

Catalyst新增了三個包含最寬選擇范圍的嵌入式存儲器系列電壓監控器件

Catalys新推出了三個系列的電壓監控器件,它們包含業內最寬選擇范圍的嵌入式存儲器。CAT130xx系列具有1-,2-,4-,8-或16-kbitMicrowire串行接口的嵌入式EEPROM。CAT140xx和CAT150xx系列則具有2-,4

基礎電子 時間:2007/11/30 閱讀:1389

滿足StrataFlash嵌入式存儲器要求的LDO應用電路

德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調節器為新的IntelStrataFlash嵌入式存儲器(P30)提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nmStrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉向它的第四代130nmStr

設計應用 時間:2007/11/29 閱讀:1790

卓聯以太網交換IC具嵌入式存儲器和集成QoS特性

卓聯半導體(Zarlink)日前擴展其DirectConnect系列嵌入式以太網交換芯片,推出一款新的高容量聚集和交換器件,可簡化在有線(wired)、無線(wireless)和有線電視(cable)網絡中使用的高密度媒體處理、數據平面和控制平臺卡

基礎電子 時間:2007/11/27 閱讀:1206

一種改進的嵌入式存儲器測試算法

摘要基于一種適合于測試靜態簡化故障的MarchSS算法,提出了一種改進的嵌入式隨機存取存儲器測試算法-MarchSSE算法。該算法在測試長度不變的情況下,不僅能測出MarchSS算法所測試的全部的功能故障,而且還能檢測出MarchSS算法所遺漏的固

設計應用 時間:2007/9/21 閱讀:1446

嵌入式存儲器產品

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