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MRAM

MRAM資訊

MRAM——人工智能時代的新型存儲器

磁性隨機存儲器(Magnetic RAM,MRAM)是一種利用電子自旋方向存儲信息的技術。它具有高讀寫速度,高集成度,無限次可重復擦寫的特點,是一種未來可能的通用型存儲器! 「...

分類:業界動態 時間:2019/10/10 閱讀:575 關鍵詞:人工智能存儲器

未來五年預計上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲市場?

在美國舉行的“MRAM開發者日”活動上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢。他指出,MRAM作為下一代非易失性存儲器的替代者市場正在迅速擴大。到2024年,MRAM的市場規模將增加40倍! 【湍壳按鎯...

分類:行業趨勢 時間:2019/8/8 閱讀:1364 關鍵詞:MRAM存儲

三星將發布新一代存儲器eMRAM,取代DRAM地位仍需時日

目前,存儲器市場以NAND Flash和DRAM為主,但是對于下一代新型存儲器的探索一直持續不斷。近期,存儲器市場龍頭企業陸續推出eMRAM的相關技術,作為企業的風向標,此舉動是...

分類:新品快報 時間:2019/3/22 閱讀:1409

三星投產MRAM內存 存儲器新戰線拉開大幕

本月初,三星宣布已開始量產新一代存儲器MRAM。詳細來看,三星是在一條28nm FD-SOI工藝的產線量產嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。那么MRAM相較傳統存儲器有什么優點,三星量...

分類:業界動態 時間:2019/3/19 閱讀:443 關鍵詞:MRAM內存 存儲器

MRAM技術新突破!臺灣清大團隊發表新磁性翻轉技術

全球各半導體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機存取存儲器(MRAM),準備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學研究團隊最新發表以自旋流操控鐵磁-...

分類:業界動態 時間:2019/3/15 閱讀:214 關鍵詞:MRAM技術

紫光“冒冷汗”,還沒弄清eFlash,三星宣布量產eMRAM

三星宣布量產eMRAM芯片,這明擺著是全球存儲芯片老大在亮肌肉,對存儲芯片的新人比如紫光等國產廠商來說,正埋頭汗流浹背地在 3D NAND的地里耕耘,期望3D NAND Flash閃存能有個好收成(國產SSD硬盤開始量產),一抬頭三星、英特爾等大戶...

分類:業界動態 時間:2019/3/14 閱讀:214 關鍵詞:三星紫光

MRAM將改變半導體市場的格局?三星已開始大量生產

據報道,三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局,因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點! ∪3月6日宣布,已在一條基于28納米FD-SOI工藝...

分類:業界動態 時間:2019/3/8 閱讀:268

三星開始大規模生產下一代內存芯片MRAM

三星已開始生產磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場的格局,因為它兼具DRAM與NAND閃存的優點。   三星開始大規模生產下一代內存芯片MRAM   三星3月6...

分類:名企新聞 時間:2019/3/8 閱讀:366

三星 宣布量產 eMRAM 顆粒:寫入延遲 爆降1000倍

由于eFlash所面臨的可擴展性挑戰,新一代eMRAM (嵌入式磁性隨機存取存儲器)應運而生,依靠非易失性、更強的隨機性能和耐久性,因此被業內各家巨頭紛紛看好。作為儲存技術佼佼者,SAMSUNG(三星)總是走在最前面,今天官方宣布開始量產eMR...

分類:業界動態 時間:2019/3/7 閱讀:227

三星宣布量產eMRAM,嵌入式存儲邁入新時代

日前,三星電子又宣布,已經全球第一家商業化規模量產eMRAM(嵌入式磁阻內存),而且用的是看上去有點“老舊”的28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝,可廣泛應用于MCU微控制器、IoT物聯網、AI人工智能領域。   三星指出,基于放電...

分類:業界動態 時間:2019/3/7 閱讀:248

MRAM技術

存儲新勢力:MRAM技術解析

一.MRAM簡介   磁隨機存儲器(Magnetic random access memory,MRAM)是一種利用讀取磁阻大小為原理的新型非易失性(Non-Volatile)隨機存儲器之一(圖1)。與其他存儲...

設計應用 時間:2018/10/16 閱讀:466

嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工是靠什么來完成的

如今,除了邏輯元件和其他專用電路元件外,典型的微控制器 (MCU) 包括用作工作存儲器的 SRAM 和用作儲存存儲器的閃存。當前業界遇到的閃存問題是,要將浮柵 (FG) 的制...

設計應用 時間:2018/6/8 閱讀:546

非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器,具有高速、高密...

基礎電子 時間:2010/8/31 閱讀:2159

Everspin科技推出MR4A16B業界首款16Mb MRAM

磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(IntegratedMagnetic)產品的領導廠商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM,進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位,F在,所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發

新品速遞 時間:2010/5/19 閱讀:2814

MRAM以優異性能邁入商用存儲器行列

MRAM內存技術利用磁矩存儲位態,業已證明完全可以滿足眾多的商業應用。而型號為MR2A16A的存儲器,具有許多獨特的特征,可以適用于許多方面的應用。MRAM的特征4Mb的MR2A16A以256Kx16位配置進行排列。它采用異步設計,使用標準芯片使能

基礎電子 時間:2010/5/13 閱讀:2904

西門子選擇飛思卡爾MRAM用于工業自動化觸摸屏產品

磁阻隨機存取存儲器(MRAM)產品的領先提供商飛思卡爾半導體日前為西門子工業自動化部門開發的工業觸摸屏應用提供非易失性MRAM技術。飛思卡爾的4MbitMRAM器件已經集成到西門子SimaticMultipanelMP277和工業自動化系統使用的M

新品速遞 時間:2008/6/4 閱讀:2382

中科院物理所成功研制新型MRAM原理型器件

據中科院物理所網站報道,最近,中國科學院物理研究所韓秀峰課題組研制了一種新型的磁隨機存取存儲器(MRAM)原理型器件,這種新型磁隨機存取存儲器擯棄了傳統的采用橢圓形磁性隧道結作為存儲單元和雙線制脈沖電流產生和合成脈沖磁場驅動比...

基礎電子 時間:2007/12/15 閱讀:1091

中科院成功研制新型MRAM原理型器件

據中科院物理所網站報道,最近,中國科學院物理研究所韓秀峰課題組研制了一種新型的磁隨機存取存儲器(MRAM)原理型器件,這種新型磁隨機存取存儲器擯棄了傳統的采用橢圓形磁性隧道結作為存儲單元和雙線制脈沖電流產生和合成脈沖磁場驅動比...

基礎電子 時間:2007/12/15 閱讀:1187

Freescale擴展MRAM的產品系列

嵌入式半導體設計和制造領域的Freescale半導體成功推出3伏4Mbit擴展溫度范圍(-40至+105C)非易失性RAM(nvRAM)產品,從而擴展了公司獲獎的磁電阻式隨機存儲器(MRAM)系列產品。該設備可用于惡劣的應用環境,如

基礎電子 時間:2007/11/30 閱讀:1261

IBM聯手TDK研發大容量高密度MRAM磁阻芯片

IBM和TDK兩公司宣布將攜手研發大容量、高密度的MRAM,以推動MRAM(磁阻內存)的量產和市場推廣。聯合研發計劃的重點是開發高容量、高密度的磁阻內存電路,他們將研究如何應...

新品速遞 時間:2007/11/19 閱讀:1418

MRAM產品

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