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MOSFET

MOSFET資訊

ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET“SCT3xxx xR”系列

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等! 〈舜涡麻_發的系列產品采...

分類:新品快報 時間:2019/11/29 閱讀:346 關鍵詞:半導體

Mouser - 貿澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅動器高頻應用的好選擇

專注于引入新品并提供電子元器件分銷商貿澤電子即日起開始備貨Instruments (TI) 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅動器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵 (GaN) 電源產品系列,與傳統硅替代方案相比,擁有更高的效率與功率密度,以及更小的整體系...

分類:新品快報 時間:2019/11/23 閱讀:441 關鍵詞:驅動器Mouser

ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務器用電源、...

分類:新品快報 時間:2019/9/26 閱讀:1392 關鍵詞:ROHM

Vishay推出的新款60 V MOSFET是業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN,業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件,10 V條件下最大導通電阻降至4 mW,采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。Vi...

分類:新品快報 時間:2019/8/14 閱讀:2254 關鍵詞:Vishay驅動

羅姆推超緊湊車用級MOSFET 可實現ADAS攝像頭模塊等設備的小型化

日本半導體制造商羅姆(ROHM)宣布推出超級緊湊,尺寸為1.6 x1.6毫米的RV4xxx系列MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)產品,可提供優越的安裝可靠性。該系列產品符合汽...

分類:新品快報 時間:2019/8/13 閱讀:2123 關鍵詞:MOSFET 攝像頭

Digi-Key 供應Nexperia采用 LFPAK88 的汽車級 N 溝道 MOSFET

Nexperia 的 LFPAK88 MOSFET 采用緊湊的 8 mm x 8 mm 基底面   作為 DPAK 的真正替代品, Nexperia 的 LFPAK88 采用真正創新的 8 mm x 8 mm 封裝,提供業界領先的功率密度。LFPAK88 是最具挑戰性設計的首選MOSFET。該 MO...

分類:新品快報 時間:2019/8/5 閱讀:1950 關鍵詞:Digi-Key MOSFET

ST意法半導體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉換器

意法半導體VIPer26K發布高壓功率轉換器,集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點! IPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統垂直堆疊FET和相關無源元件,即可實現類似的電壓處理能力,可采...

分類:新品快報 時間:2019/8/2 閱讀:1748 關鍵詞:SMI壓力傳感器

ROHM開發出確保安裝可靠性的車載用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,該系列產品可確保部件安裝后的可靠性,且符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101,是確保車規級品質的高可靠性產品。另外,產品采用了ROHM...

分類:新品快報 時間:2019/8/1 閱讀:1312 關鍵詞:ROHM汽車電子

ROHM推出安裝可靠性更高的車用超小型MOSFET“RV4xxx系列”

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”,該系列產品可確保部件安裝后的可靠性,且符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101,是確保車規級品質的高可靠性產品。另外,產品采用了ROHM...

分類:新品快報 時間:2019/7/25 閱讀:1193 關鍵詞:ROHM

Rutronik - 儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飛凌OptiMOS™ 功率MOSFET

英飛凌OptiMOS 3和5同類最佳(BiC)功率MOSFET采用節省空間的SuperSO8封裝,與先前型號相比,具有更高的功率密度和穩健性,從而降低系統成本和提升整體性能?蛻艨梢栽L問儒卓力電子商務平臺了解有關OptiMOS BiC功率MOSFET產品信息! ∮...

分類:名企新聞 時間:2019/7/23 閱讀:905 關鍵詞:英飛凌儒卓力

MOSFET技術

ST - SiCMOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著

傳統硅基MOSFET技術日趨成熟,正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好,能夠提高MOSFET的性能,是一項關注度很高的替代技術。   商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史,自問世以來,MOSFET和IGBT一直是開關電源的...

基礎電子 時間:2019/12/6 閱讀:87

為什么MOSFET柵極前要放100 Ω 電阻?為什么是 100 Ω?

為了穩定性,必須在 MOSFET 柵極前面放一個 100 Ω 電阻嗎?   只要問任何經驗豐富的電氣工程師——如我們今天故事里的教授 Gureux ——在 MOSFET 柵極前要放什么,你很...

設計應用 時間:2019/11/18 閱讀:104

功率MOSFET的參數那么多,實際應用中該怎么選?

功率 MOSFET 也有兩年多時間了,這方面的技術文章看了不少,但實際應用選型方面的文章不是很多。在此,根據學到的理論知識和實際經驗,和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型。   由于相應理論技術文章有很多介紹 MOSFET ...

設計應用 時間:2019/11/1 閱讀:215

同類最佳的超級結MOSFET和 具成本優勢的IGBT用于電動汽車充電樁

插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統,可采用內置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應用)要求在高溫環境下具有高電壓、高電流和高性能,開...

設計應用 時間:2019/10/30 閱讀:230

MOSFET Qrr——在追求能效時,忽視這一參數是危險的

在為許多類型的消費和工業應用設計電源時,效率往往是最重要的因素,這些應用包括手機、平板電腦和筆記本電腦、可充電的電動工具和LED照明,以及不計其數的其它產品。 一些...

設計應用 時間:2019/9/11 閱讀:405

Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用于標準柵極驅動電路

器件專門用于標準柵極驅動電路,柵極電荷低至22.5 nC,QOSS為34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封裝。   賓夕法尼亞、MALVERN—2019年8月12日 — 日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET...

新品速遞 時間:2019/8/13 閱讀:818

電源系統開關控制器的 MOSFET

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于:首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,而且通?梢灾苯佑蒀MOS或...

設計應用 時間:2019/8/9 閱讀:761

電源設計DC/DC開關控制器的MOSFET選擇

DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內,必須在低柵極電荷...

設計應用 時間:2019/8/8 閱讀:732

MOSFET四步選型+應用案例解析

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數字電路中,和我們的生活密不可分。   MOSFET的優勢在于:首先驅動電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多,而且通?梢灾苯佑...

設計應用 時間:2019/8/8 閱讀:813

開關電源的 MOSFET 選擇

DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規定范圍以內,必須在低柵極電荷...

設計應用 時間:2019/8/7 閱讀:819

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