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新增8000研發,200億美元,臺積電強攻3nm

類別:業界動態  出處:經濟日報  發布于:2019-11-01 10:15:49 | 565 次閱讀

  臺積電董事長劉德音昨(31)日主持臺灣半導體產業協會(TSIA)年度論壇結語時透露,臺積電會加大研發能量,將于竹科新建研發中心,打造成臺灣的貝爾實驗室,預計再擴增8,000名研發大軍,投入未來二、三十年科技和材料研發及半導體產業的基礎研究。

  臺積電目前在晶圓代工先進制程領先全球,這是劉德音首次針對臺積電即將打造的全新研發中心,提出未來研發方針及定位。業界解讀,臺積電此舉將可更進一步鞏固領先地位,狠甩英特爾、三星等勁敵。
  臺積電過去五年已投資逾500億美元在技術研發,以臺積電打算打造臺灣貝爾實驗室的計劃,預定未來幾年仍會投入數百億美元在新科技和新材料的研發,持續扮演臺灣半導體業領頭羊。
  臺積規劃新研發中心,基地位于新竹縣寶山鄉,面積約32.7公頃,已向竹科管理局提出擴建計劃,目前全案已進入環評補件階段,根據臺積電之前的資料,整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式動工建設,耗資超過4000億新臺幣,折合879億人民幣或者130億美元。。臺積電幕僚表示,未來臺積電3納米以下的研發都會在此研發中心進行。
  由于摩爾定律逐漸到了物理極限,3nm被認為是最后的一代硅基半導體工藝,因為1nm節點會遭遇嚴重的干擾。為了解決這個問題,三星宣布在3nm節點使用GAA環繞柵極晶體管工藝,通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。
  與三星相比,臺積電并沒有公布過3nm工藝的具體技術細節,預計也會改用全新結構的晶體管工藝,只不過目前尚無明確消息。
  但臺積電方面表示,他們 3nm工藝技術研發非常順利,已經有早期客戶參與進來,與臺積電一起進行技術定義,3nm將在未來進一步深化臺積電的領導地位。
  目前,3nm工藝仍在早期研發階段,臺積電也沒有給出任何技術細節,以及性能、功耗指標,比如相比5nm工藝能提升多少,只是說3nm將是一個全新的工藝節點,而不是5nm的改進版。
  臺積電只是說,已經評估了3nm工藝所有可能的晶體管結構設計,并與客戶一起得到了非常好的解決方案,具體規范正在進一步開發中,公司有信心滿足大客戶們的所有要求。
  臺積電此前曾披露,計劃在2022年就量產3nm工藝。
  臺積電追求技術自主,這幾年持續擴大研發規模,經費逐年提高,去年研發經費已占營收的8%,約達858.95億元新高,較前年的807.32億元增加,也超越臺灣半導體業界,今年占比估為8.6%,金額站上千億元,再寫新猷。

關鍵詞:臺積電晶圓代

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